半導体デバイスのキャラクタリゼーションのためのエネルギー損失分光法

EAG Laboratoriesでは, 産業界、国立研究所、政府機関の研究者のために様々な種類のナノ材料の解析を行っています。シリコンデバイスの場合、深刻な材料の問題のほぼ全てが界面で発生しています。STEM-EELSによるハイパースペクトラムマッピングは、材料の構造や化学的な状態を原子レベルで研究する際に非常に強力な手法です。産業界では、この手法を材料のキャラクタリゼーションや故障解析に広く利用しています。最新の高性能のTEMと組み合わせることで、ナノアンペアのビーム電流とサブオングストロームのSTEMビームを得ることが実現されましたが、同時に半導体や誘電材料に対して容易にダメージを与えてしまいます。それ故、短いピクセルタイムと高速読み出しを実現する高速EELS分光器が求められています。最新のGIF Continuumの登場によって、ナノデバイスの解析における空間分解能は大幅に向上しました。本講演では、最新の解析例として3D-NANDデバイスのSTEM-EELS解析についてご紹介します。

講演者

Peng Zhang, Vice President of Business Development, Eurofins EAG Laboratories